ESFI-Technik

ESFI-Technik

 

[ESFI, Abkürzung für Epitaxialer Siliciumfilm auf (einem) Isolator], Halbleitertechnologie: Verfahren zur Herstellung von monolithisch integrierten Schaltungen in MOS-Technik, bei dem die integrierten Transistoren in einer dünnen Siliciumschicht, die auf einem nicht leitenden Substrat (Isolator) aufgebracht ist, erzeugt werden. Sie besitzen im Vergleich zu den in herkömmlicher CMOS-Technik hergestellten Bauelementen eine bessere Isolation gegenüber anderen Teilen der Schaltung, kleinere parasitäre Kapazitäten und daher sehr kurze Schaltzeiten von 1-5 ns pro Stufe. Als Substrat kommt z. B. Saphir infrage; man spricht dann von SOS-Technik (Abkürzung für englisch silicon on sapphire).